收藏本站
SFT1341
10
0 μ
1m
DC
10
ati
0m
--4.5
--4.0
--3.5
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
--1.0
VDS= --20V
ID= --10A
VGS -- Qg
7
5
3
2
--10
7
5
3
2
--1.0
7
5
ASO
IDP= --40A PW≤10μs
ID= --10A
er
Operation in
limited by RDS(on). s
on
op ms
this area is 10
s
s
10
μ s
3
--0.5
2
Tc=25 ° C
Single pulse
--0.1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
--0.1
2 3
5
7 --1.0
2
3
5
7 --10
2
3
5
7
1.2
Total Gate Charge, Qg -- nC
PD -- Ta
IT14530
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT14531
1.0
0.8
0.6
No
he
at
sin
k
0.4
0.2
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT14532
No. A1444-4/9
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SFT1342-E MOSFET P-CH 60V 12A TP
SFT1342-TL-E MOSFET P-CH 60V 12A TP-FA
SFT1345-H MOSFET P-CH 100V 11A TP
SFT1350-TL-H MOSFET P-CH 40V 19A TP-FA
SFT1423-E MOSFET N-CH 500V 2A TP
SFT1423-TL-E MOSFET N-CH 500V 2A TP-FA
SFT1431-E MOSFET N-CH 35V 11A TP
SFT1431-TL-E MOSFET N-CH 35V 11A TP-FA
相关代理商/技术参数
SFT1342 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
SFT1342-E 功能描述:MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SFT1342-TL-E 功能描述:MOSFET SWITCHING DEVICE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SFT1345 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications
SFT1345-H 功能描述:MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SFT1345-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH SWITCHING TP RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:* 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
SFT1350 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications
SFT1350-H 功能描述:MOSFET PCH 4.5V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube